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超高真空鍍膜機-雙室

鍍膜室:鍍製(zhi)各(ge)種單(dan)層(ceng)膜、多層膜。可(ke)鍍金(jin)屬(shu)、合金、化(hua)合物(wu)、半導(dao)體(ti)、陶(tao)瓷(ci)膜、介質(zhi)複(fu)合膜和(he)其它(ta)化學(xue)反(fan)應(ying)膜。

處理室(shi):前處理(li)和後(hou)處(chu)理功能

可用於多種(zhong)薄(bao)膜材料的物理化學性能研(yan)究實驗、集(ji)成電路(lu)半導體器(qi)件的原(yuan)理研究實(shi)驗(yan)、有機無(wu)機功能薄膜研究(jiu)及(ji)太(tai)陽能電池(chi)研究實驗等。

  

項  目(mu)

技術指標(biao)

極限真空度優

優於(yu)2.0×10-5

工藝腔(qiang)體動(dong)態(tai)真空

優(you)於3.0×10-4

工作(zuo)真空度

1×10-1~10

漏率(lv)

停(ting)機12小(xiao)時真空度≤10 Pa

磁控濺射靶(英寸)

Ø1~Ф8英(ying)寸(cun)

真空測量

三(san)路

質量流量(liang)控製

四(si)路

室體

鍍膜室

處理室

傳輸方(fang)式(shi)

處理室與鍍膜室磁力杆(gan)轉運

工件轉動

自(zi)傳,可調速


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項  目

技術要(yao)求

結(jie)構(gou)

立(li)式-前(qian)開(kai)門(men)

鍍膜方式

直流、射頻、中頻磁控濺射

腔體數(shu)

1個

腔體材料

304不鏽鋼,雙層水(shui)冷(leng)

腔體尺(chi)寸

Φ500 mm×H450mm

工位(wei)數

1個工位

轉輸(shu)方式

磁流(liu)體傳動,數量2個

傳(chuan)輸速度(du)

公轉結構,自轉(zhuan)結構,獨(du)立控製

參(can)數設定

溫(wen)度,時(shi)間(jian),氣體分壓,速度,均(jun)可調(diao)整

機架材質

碳(tan)鋼噴塑

觀(guan)察(cha)窗(chuang)數

2個

磁控濺射電源

數量4個(ge)

脈衝偏(pian)壓電源

數量1個

真空係(xi)統

分(fen)子泵+直聯泵+真空閥(fa)門+管道(dao)

控製係統

人(ren)機界(jie)麵+PLC

供電電源

3N,220V/380V,50Hz


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