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直流磁控濺射鍍膜機-科研型第6代

適用於鍍製(zhi)各(ge)種(zhong)單(dan)層(ceng)膜、多層膜。可鍍金(jin)屬、合金、化合物(wu)、半(ban)導體、陶瓷膜、介(jie)質(zhi)複合膜和(he)其它化學反(fan)應(ying)膜。可用於多種薄(bao)膜材料的物理化學(xue)性(xing)能研(yan)究實(shi)驗、集(ji)成電路半(ban)導體器件的原理研究實驗(yan)、有機無(wu)機功能薄膜研究及(ji)太(tai)陽(yang)能(neng)電池研究實驗等。

樣(yang)品台:可旋轉、可(ke)加(jia)熱。

工作模(mo)式(shi):可以采用單靶獨(du)立(li)、多靶輪流或組合共(gong)濺工作模(mo)式(shi),向心濺射。

超高真空密封主要采(cai)用如下技術:玻璃(li)金屬焊(han)接(jie)技術、陶瓷(ci)金屬(shu)焊接技術、刀(dao)口(kou)無氧銅(tong)金屬密封技術等、運(yun)動(dong)部(bu)件的密(mi)封,采用磁力耦(ou)合傳(chuan)動密封(feng)技術。

係統自(zi)動監控和保(bao)護(hu)功能強(qiang),包(bao)括(kuo)缺(que)水欠(qian)壓(ya)檢(jian)測與保護、相(xiang)序檢測與保護、溫(wen)度檢測與保護、真空係統檢測與保護等。

項(xiang)  目(mu)

技術指(zhi)標(biao)

極限真空度優(you)

優於2.0×10-5

工藝(yi)腔體動態(tai)真空

優於(yu)3.0×10-4

工作(zuo)真空度(du)

1×10-1~10

漏(lou)率(lv)

停(ting)機12小(xiao)時(shi)真空度≤10 Pa

磁控濺射靶(ba)(英(ying)寸(cun))

4個(Ф4英寸)

樣品(pin)台(tai)

Ф4英寸,數量(liang)1個(ge)

真空測量

三(san)路

質量流量控製

四~六(liu)路

室(shi)體

單室

鍍膜室+樣品室

工件轉動

自傳,可調(diao)速,定(ding)位控製


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項  目

技術要(yao)求(qiu)

結構(gou)

立式-前開(kai)門(men)

鍍膜方(fang)式

直流磁控濺射

腔(qiang)體數

1個

腔體材料

304不(bu)鏽(xiu)鋼,雙層水(shui)冷(leng)

腔體尺(chi)寸

Φ450 mm×H500mm

工位數

4個工位

傳輸方式

磁流體傳動,數(shu)量2個

傳輸(shu)速度

公轉結(jie)構,自轉結構,獨立控製

參(can)數設定

溫度,時間,氣體分壓,速度,均(jun)可調整

機架(jia)材質

碳鋼(gang)噴塑(su)

觀(guan)察(cha)窗數

2個

直流磁控濺射電源

數量4個

脈衝偏壓電源

數量1個

真空係統(tong)

分(fen)子泵(beng)+直聯泵+真空閥(fa)門+管(guan)道

控製係統

人(ren)機界(jie)麵+PLC

供(gong)電電源

3N,220V/380V,50Hz


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